Micron e Intel revelaron ayer la disponibilidad de su tecnología 3D NAND, la memoria flash de mayor densidad del mundo.
Esta nueva tecnología 3D NAND, que ha sido conjuntamente desarrollada por Intel y Micron, apila capas de células de almacenamiento verticalmente con gran precisión con el objetivo de crear dispositivos de almacenamiento con tres veces mayor capacidad que las tecnologías competidoras. Esto, esencialmente, se traduce en mayor almacenamiento en un espacio reducido, lo cual, a su vez, se traduce en menores costes de desarrollo, uso de bajo consumo y alto rendimiento en un rango de consumidores de dispositivos móviles.
La tecnología 3D NAND se encuentra cerca de significar un gran impacto manteniendo la Ley de Moore en los productos de almacenamiento flash.
«La colaboración de Micron e Intel ha creado una tecnología líder en el sector de los SSDs que ofrece alta densidad, rendimiento y eficiencia y que no tiene rival a día de hoy» dijo Brian Shirley, vice presidente de Memory Technology and Solutions en Micron Technology. «Está tecnología 3D NAND tiene el potencial para crear cambios fundamentales en el mercado. La profundidad del impacto que las memorias flash han tenido hasta la fecha, desde smartphones hasta flash-optimized supercomputing, es realmente rozando la superficie de lo posible»
«Los esfuerzos de Intel en el desarrollo con Micron reflejan nuestro contínuo compromiso de traer tecnologías de memorias no volátiles líderes e innovativas al mercado.» dijo Rob Crooke, senior vice presidente y gerente general del Non-Volatile Memory Solutions Grouo de Intel Corporation. «Las significativas mejoras respecto a la densidad y el coste de nuestra innovativa tecnología acelerará el almacenamiento en SSD en plataformas informáticas.»
Uno de los aspectos más significativos de esta tecnología se encuentra en la propia célula de memoria. Intel y Micron han optado por el uso de floating gate cell, un diseño utilizado universalmente durante años en la fabricación de memorias planar flash de alto volúmen. Este es su primer uso en 3D NAND, permitiendo así un incremento tanto en el rendimiento como en calidad y confiabilidad.
Esta nueva tecnología apila verticalmente células flash en 32 capas para alcanzar 256GB en MLC y 384GB en TLC, las cuales encajan en el paquete estándar. Estas capacidades permitirían a los SSDs superar los 3.5TB de almacenamiento y un estándar de SSDs de 2.5 pulgadas con capacidades mayores a 10TB. Se espera que incrementen tanto el rendimiento como la resistencia y que incluso los diseños TLC se adapten bien en almacenamiento de centros de datos.
Entre las características de este diseño 3D NAND se incluyen las siguientes:
-Triple de capacidad que las existentes tecnologías 3D.
-Costes reducidos.
-Rapidez.
-Nuevos modos de ahorro de energía.
-Mejoras en la latencia e incremento de resistencia, además de una más sencilla integración con el sistema.
Fuente: TechPowerUp
