SK Hynix, el fabricante coreano de memorias DRAM y NAND flash que se coloca por detrás de Samsung, ha actualizado su catalogo de memorias DRAM reflejando la disponibilidad de sus chips de memorias GDDR6 de 8 gigabits (1GB).
Los nuevos chips GDDR6 de 8 Gb hacen su aparición bajo el nombre en clave H56C8H24MJR-S2C, disponibles en dos variantes de 14 y 12 Gbps, y H56C8H24MJR-S0C, en variantes de 12 y 10 Gbps.
Los chips modelo -S2C son más eficientes enigmáticamente consiguiendo lograr los 14 Gbps funcionando a 1.35V y los 12 Gbps con una tensión de 1.25V, mientras que los chips acabados en -S0C logran los 12 Gbps a 1.35V y 10 Gbps a 1.25V.
Por otra parte, es casualidad que dicha actualización de catalogo aparece poco después de que Samsung, su rival, anunciase la producción en masa de sus chips de memoria GDDR6 de 16 Gb (2GB), que permitirán hasta 16 GB de memoria VRAM con una interfaz de memoria de 256 bits o 8 GB de memoria VRAM con una interfaz de memoria de 128 bits.
Pero los chips de Samsung no solo tienen el doble de densidad respecto a los de SK Hynix, si no que también son más rápidos capaces de alcanzar los 18 Gbps con una tensión de 1.35V.
Es muy posible que comencemos a ver las primeras tarjetas gráficas de gama alta con memorias GDDR6 a finales de este mismo año 2018 o de cara al próximo año 2019. Se espera que NVIDIA lance su nueva arquitectura Volta al mercado, y es muy probable que el sucesor de la actual GTX 1080 haga su debut con memoria GDDR6.
